NTD5862NT4G

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• NTD5862NT4G
• N-Channel Power MOSFET 60 V, 98 A, 5.7 m
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTD5862NT4G参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NTD5862NT4G
• 功能描述：MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTD5862NT4G供应商

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• 深圳市英科美电子有限公司
• 张先生
  0755-23903058
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  0755-83350789
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• 北京京华特科技有限公司
• 张小姐/韩先生
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• ON Semiconductor
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• 深圳市远晨电子有限公司
• 周小姐/詹小姐
  0755-83972258
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• 20000

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• 深圳市慧拓科技有限公司
• 何小姐
  86-755-83616520
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• DPAK 3W SMT PBF
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• 12500

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• 深圳市骏创达科技有限公司
• 雷先生/李小姐
  0755-23610620
• ON
• 原厂封装
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• 深圳市硅宇电子有限公司
• 唐中秋/张三军
  0755-83679764-815
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• TO-252
• 1234+
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