NTLJD3182FZTBG

NTLJD3182FZTBG中文资料

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• NTLJD3182FZTBG
• Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −4.0 A, ??Coola?￠ Single P−Channel & Schottky Barrier Diode, ESD
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTLJD3182FZTBG参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NTLJD3182FZTBG
• 功能描述：MOSFET 20V 4.1A UCOOL FETKY；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTLJD3182FZTBG供应商

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• NTLJD3182FZTBG
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• ON Semiconductor
• 6-WDFN（2x2）
• 15+
• 25000

• NTLJD3182FZTBG
• 深圳市海天高电子有限公司
• 梁琳琳
  0755-83268160
• ON
• 6-WDFN（2x2）
• 15+
• 12000

• NTLJD3182FZTBG
• mmic_stock
• vivi
  -
• ON Semiconductor
• 6-WDFN 裸露焊盘
• 12+
• 10800

• NTLJD3182FZTBG
• 嘉诚电子（香港）有限公司
• 廖先生
  0755-23901058
• ON Semiconductor
• 原厂封装
• 12+
• 6000

• NTLJD3182FZTBG
• 深圳超科宇科技有限公司
• 陈兰
  0755-88366412
• ON
• WDFN6
• 08+
• 0