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IKB03N120H2中文资料

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IKB03N120H2参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IKB03N120H2
  • 功能描述：IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IKB03N120H2供应商

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  • IKB03N120H2
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
    0755-82552857-809
  • INF
  • Tape&Reel
  • 1516+
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  • IKB03N120H2
  • 深圳市思诺康科技有限公司
  • 张小姐/Vivianvi
    0755-83286481
  • INF
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  • IKB03N120H2
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 张
    18724450645
  • INFINEON
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  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
    0755-83946385
  • INFINEON
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  • 15+
  • 3550000
  • IKB03N120H2
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
  • infineon
  • TO-263
  • 11+
  • 8900
  • IKB03N120H2
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • Infineon Technologies
  • PG-TO263-3-2
  • 15+
  • 25000
  • IKB03N120H2
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
    0755-83350789
  • INFINEON
  • 1213+
  • 8100
  • IKB03N120H2
  • 科创特电子（香港）有限公司
  • 柯
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  • Infineon
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  • 0828+
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司
  • 柯盈琪/19925429803
    0755-83061789
  • Infineon
  • TO-263
  • 13+
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