买卖IC网 >> 中文资料第24748页 >> IPD60R385CP(的CoolMOS功率晶体管)

IPD60R385CP中文资料

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IPD60R385CP参数资料

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  • 参数资料
  • IPD60R385CP
  • 功能描述：MOSFET N-CH 600 V 9 A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPD60R385CP供应商

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  • INFINEON
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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    18724450645
  • INFINEON
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Infineon Technologies
  • PG-TO252-3
  • 15+
  • 25000
  • IPD60R385CP
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
    0755-83350789
  • INF
  • 14+
  • 5000
  • IPD60R385CP
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • INFINEON
  • SOT252
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  • IPD60R385CP
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