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IRF6601中文资料

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IRF6601参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRF6601
  • 功能描述：MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRF6601供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
  • IRF6601
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
  • International Rectifier
  • 标封
  • 14+
  • 5000
  • IRF6601
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • Infineon Technologies Americas Corp.
  • DIRECTFET™ MT
  • 15+
  • 25000
  • IRF6601TR1
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
  • 陈小姐
    13428937514
  • IR
  • 2014+
  • 6439
  • IRF6601TRPBF
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • IR
  • QFN
  • 201315+
  • 2350
  • IRF6601
  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
    0755-83255012
  • IR
  • SMD
  • 0227+
  • 1584
  • IRF6601
  • 深圳市奥捷尔电子科技有限公司
  • 杨小姐
    13620995027
  • IR
  • 12+
  • 10000
  • IRF6601
  • 深圳市卓泰丰科技有限公司
  • 陈喜玲 只做原装正品(节假日不休)
    0755-82715229
  • IR
  • DIRECTFET
  • 13+
  • 16800
  • IRF6601
  • 深圳市深创辉科技有限公司
  • 舒小姐
    755-83203120-823，18319039176
  • IR
  • DIP
  • 14+
  • 56000
  • IRF6601
  • 深圳市华兴电子有限公司
  • 洪小姐(可开增值税票)
    0755-83170705
  • KIA
  • QFN
  • 13+PB
  • 23789
  • IRF6601
  • 深圳市亿翁科技有限公司
  • 林先生/钟先生
    0755-83533895
  • IR
  • 15+
  • 5000