IRF7343QPBF

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IRF7343QPBF参数资料

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• 参数资料

• IRF7343QPBF
• 功能描述：MOSFET；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF7343QPBF供应商

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• 深圳市思诺康科技有限公司
• 张小姐/Vivianvi
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• IRF7343QPBF
• 深圳市英科美电子有限公司
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• 深圳市时兴宇电子有限公司
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• IRF7343QPBF
• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
  0755-83255012
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• 深圳市胜彬电子有限公司
• 刘小姐
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• SOP-8
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• IRF7343QPBF
• 深圳市胜彬电子有限公司
• 段群
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• IR
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• 1413+
• 7680

• IRF7343QPBF
• 深圳市莱特斯电子科技有限公司
• 江先生
  19176527791
• IR
• SOIC-8
• 2014+
• 8000

• IRF7343QPBF
• 深圳市中联芯电子有限公司
• 张生（可开票）
  13714879722
• 不止1只IR
• SOP8
• 15+
• 16800