IRFB16N60LPBF

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IRFB16N60LPBF参数资料

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• 参数资料

• IRFB16N60LPBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 16 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFB16N60LPBF供应商

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• 深圳市虹芯微科技有限公司
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• 深圳市华首信实业有限公司
• 阳小姐/曾先生/
  0755-82518632
• IR
• TO-220
• 最新年份
• 20000

• IRFB16N60LPBF
• 深圳市福宏特电子科技有限公司
• 肖先生
  0755-83213776
• IR
• TO-220
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• 463