IRFB9N30APBF

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IRFB9N30APBF参数资料

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• IRFB9N30APBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 300V 30 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFB9N30APBF供应商

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  0755-83350789
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• 北京鼎帆伟业科技有限公司
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• 贸泽微电子集团
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• 深圳市永贝尔科技有限公司
• 黄小姐
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• IRF
• 原厂原包
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• Vishay
• 原装
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• 贸泽微电子集团
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  0755-82704109
• 2014+
• 25300