买卖IC网 >> 中文资料第25088页 >> ISL9N2357D3ST(30V，0.007欧姆，35A，N沟道UltraFET沟道功率MOSFET)

ISL9N2357D3ST中文资料

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ISL9N2357D3ST参数资料

  • 电子元器件
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  • ISL9N2357D3ST
  • 功能描述：MOSFET 30V 35a NCh MOSFET 0.007 Ohm ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ISL9N2357D3ST供应商

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  • 封装
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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    0755-83041559
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  • 08+
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 王
    18724450645
  • TE Connectivity
  • 原厂标准封装
  • 2014
  • 3000
  • ISL9N2357D3ST
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  • 林小姐//方先生
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  • 2012+
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
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  • 甄芯网
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  • FAIRCHILD
  • SOT-252
  • 10+
  • 4683
  • ISL9N2357D3ST_S2568
  • 北京京华特科技有限公司
  • 张小姐/韩先生
    010-86398446-806
  • Fairchild
  • 07＋
  • 13000
  • ISL9N2357D3STS2490
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • INTERSIL
  • TO252
  • 201234+
  • 2510
  • ISL9N2357D3ST
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司
  • 朱咸华
    0755-83777708
  • FAI
  • TO252
  • 2015+
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