ISL9N308AD3
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>> ISL9N308AD3(N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|)
ISL9N308AD3中文资料
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ISL9N308AD3
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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ISL9N308AD3ST
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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ISL9N310AP3
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ISL9N310AS3
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ISL9R1560S3S
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ISL9R1560S3S
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ISL9R1560S3ST
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ISL9R18120G2
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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ISL9R18120P2
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ISL9R18120S3S
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ISL9R30120G2
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ISL9R3060G2
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ISL9R3060G2_11
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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ISL9R3060P2
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ISL9R460P2
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ISL9R460PF2
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ISL9R460PF2_09
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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ISL9R460S2
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ISL9R460S3S
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ISL9R460S3ST
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ISL9R8120P2
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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ISL9R8120S3S
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ISL9R860P2
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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ISL9R860P2_09
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
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ISL9R860PF2
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
SAMSUNG
Samsung semiconductor
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ISL9R860PF2
N沟道逻辑电平UltraFET沟道功率MOSFET30V,50A,8毫安|
FAIRCHILD
Fairchild Semiconductor
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ISL9N308AD3参数资料
电子元器件
参数资料
ISL9N308AD3
功能描述:MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level ;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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13+
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刘先生
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标准封装
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其他电子元器件
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深圳市中平科技有限公司
赖先生
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深圳市时兴宇电子有限公司
彭先生
0755-83041559
FAIRCHILD
TO-252
08+
20000
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中山市翔美达电子科技有限公司
朱小姐
15502070655
HARRIS
SOT-252
10+
6000
ISL9N308AD3ST
深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
0755-88377780
FSC
TO252
2012+
2850
ISL9N308AD3ST
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
0755-83350789
FAIRCHILD
TO-252原盘
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ISL9N308AP3
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