买卖IC网 >> 中文资料第34207页 >> NTB30N20T4(功率MOSFET30安培，200伏特N沟道增强模式D2PAK)

NTB30N20T4中文资料

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NTB30N20T4参数资料

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  • 参数资料
  • NTB30N20T4
  • 功能描述：MOSFET 200V 30A N-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTB30N20T4供应商

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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  • D2PAK
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  • NTB30N20T4
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • NTB30N20T4G
  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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  • ONS
  • TO-263
  • 11+
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  • NTB30N20T4G
  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
  • 李先生
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  • 原装正品！！
  • 38500
  • NTB30N20T4G
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
  • ONS
  • D2PAK
  • 08+
  • 20000
  • NTB30N20T4G
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
  • 荣泽信－晏S
    18028731859
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