买卖IC网 >> 中文资料第34207页 >> NTB52N10G(N沟道增强模式D2PAK)

NTB52N10G中文资料

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NTB52N10G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTB52N10G
  • 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTB52N10G供应商

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
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  • D2PAK
  • 08+
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  • NTB52N10G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
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  • 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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  • 12000
  • NTB52N10G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • D2PAK
  • 15+
  • 25000
  • NTB52N10G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理:马先生
    0755-83350789
  • ON
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  • NTB52N10G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • ONS
  • 标准封装
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  • 2500
  • NTB52N10G
  • 甄芯网
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  • 07+PB
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  • NTB52N10G
  • 中山市横栏镇伟一电子产品销售中心
  • 陈小姐 皮先生
    15019239397
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  • D2PAK/-55 ~150
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  • NTB52N10G

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  • 最新批次
  • 112380
  • NTB52N10G
  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
    0755-83255012
  • ON
  • TO-263
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  • 51