买卖IC网 >> 中文资料第34207页 >> NTB52N10T4(N沟道增强模式D2PAK)

NTB52N10T4中文资料

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NTB52N10T4参数资料

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  • 参数资料
  • NTB52N10T4
  • 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTB52N10T4供应商

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