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NTD20N06G中文资料

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NTD20N06G参数资料

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  • NTD20N06G
  • 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTD20N06G供应商

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  • NTD20N06G
  • 深圳市瑞祺芯科技有限公司
  • 李小姐/孟先生 (只 做 原 装 )
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  • ON
  • DPAK(252)
  • 14+
  • 12000
  • NTD20N06G
  • 中山市横栏镇伟一电子产品销售中心
  • 陈小姐 皮先生
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  • 原厂
  • DPAK-4/-55~175
  • 13+
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  • NTD20N06G

  • ONS
  • DPAK(TO-252)
  • 最新批次
  • 112380