买卖IC网 >> 中文资料第34257页 >> NTHS2101PT1(-8.0 V,-7.5 P沟道ChipFET)

NTHS2101PT1中文资料

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NTHS2101PT1参数资料

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  • NTHS2101PT1
  • 功能描述:MOSFET -8V -7.5A P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTHS2101PT1供应商

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  • 标准国际(香港)有限公司
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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
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  • 北京京华特科技有限公司
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    0755-23607487
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  • 11220
  • NTHS2101PT1G
  • 标准国际(香港)有限公司
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  • 晶体管
  • 07+ROHS
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  • NTHS2101PT1G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • ON
  • SOT23-..
  • 14+
  • 9531
  • NTHS2101PT1G
  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
  • 江小姐 ADS触摸芯片一级代理
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  • ON
  • SOP-8
  • 11+ROHS
  • 30000
  • NTHS2101PT1G
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
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