NTHS4101PT1G
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>> NTHS4101PT1G(功率MOSFET-20 V,6.7 A,P沟道ChipFET-TM)
NTHS4101PT1G中文资料
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NTHS4101PT1G
功率MOSFET-20 V,6.7 A,P沟道ChipFET-TM
ONSEMI
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NTJD4001NT1G
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NTHS4101PT1G参数资料
电子元器件
参数资料
NTHS4101PT1G
功能描述:MOSFET -20V -6.7A P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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NTHS4101PT1G
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江小姐 ADS触摸芯片一级代理
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李林
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深圳市思诺康科技有限公司
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2015+
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深圳市英科美电子有限公司
张先生
0755-23903058
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深圳市荣泽信电子科技有限公司
荣泽信-晏S
18028731859
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10000
NTHS4101PT1G
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
ON Semiconductor
ChipFET™
15+
122250
NTHS4101PT1G
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
0755-83350789
ON
SOT23-8
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