买卖IC网 >> 中文资料第34258页 >> NTLGD3502N(功率MOSFET20 V,5.8 A /4.6双N沟道,DFN6的3x3毫米封装)

NTLGD3502N中文资料

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NTLGD3502N参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTLGD3502N
  • 制造商:ONSEMI;制造商全称:ON Semiconductor;功能描述:Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package;

NTLGD3502N供应商

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  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
  • NTLGD3502NT1G
  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
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  • ON Semiconductor
  • DFN-2
  • 2014+
  • 2300
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司

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  • TE Connectivity
  • 原厂标准封装
  • 2014
  • 3000
  • NTLGD3502NT1G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • ON Semiconductor
  • 6-DFN(3x3)
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  • 25000
  • NTLGD3502NT1G
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
    0755-83665813
  • ON
  • MLF-6
  • 11+
  • 602
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  • 北京京华特科技有限公司
  • 张小姐/韩先生
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  • ON Semiconductor
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  • N/A 全新进口
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • 6-DFN(3x3)
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  • DFN
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  • 柯先生/赵小姐
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  • ON
  • DFN-6
  • 11+
  • 1820
  • NTLGD3502NT1G
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  • 张小姐(只做原装正品)
    0755-23618143
  • ON
  • 原厂封装
  • 14+
  • 19000
  • NTLGD3502NT1G

  • ON
  • MLF-6
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