NTLJS2103PTBG
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>> NTLJS2103PTBG(功率MOSFET)
NTLJS2103PTBG中文资料
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NTLJS2103PTBG参数资料
电子元器件
参数资料
NTLJS2103PTBG
功能描述:MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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郑元律
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杨建华
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32720
NTLJS2103PTBG
深圳市明锐微科技有限公司
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