买卖IC网 >> 中文资料第34259页 >> NTMD6601NR2G(功率MOSFET80 V，2.2 A，双N沟道，SO-8)

NTMD6601NR2G中文资料

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NTMD6601NR2G参数资料

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  • 参数资料
  • NTMD6601NR2G
  • 功能描述：MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMD6601NR2G供应商

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • SOIC-8 Narrow Body
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  • 销售部经理：马先生
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  • 深圳市明锐微科技有限公司
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  • SOP8
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  • NTMD6601NR2G
  • 深圳市硅宇电子有限公司
  • 唐中秋/张三军
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  • NTMD6601NR2G
  • 深圳市卓一科技有限公司二部
  • 赵生（只做原装）
    0755-83979123（只做原装）
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