买卖IC网 >> 中文资料第34261页 >> NTMS10P02R2G(功率MOSFET-10安培，伏特-20 P沟道增强模式)

NTMS10P02R2G中文资料

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NTMS10P02R2G参数资料

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  • NTMS10P02R2G
  • 功能描述：MOSFET 20V 10A P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMS10P02R2G供应商

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
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  • SO-8
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  • NTMS10P02R2G
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  • SOIC-8
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  • NTMS10P02R2G
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
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  • 原厂原装
  • 1516+
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  • NTMS10P02R2G
  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
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  • ON
  • SOP-8
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  • NTMS10P02R2G
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
  • 荣泽信－晏S
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  • NTMS10P02R2G
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
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  • ON
  • SOIC8
  • 2012+
  • 2012
  • NTMS10P02R2G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • 8-SOIC N
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  • 98125
  • NTMS10P02R2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • ON
  • ROHS
  • 201311+
  • 6550
  • NTMS10P02R2G
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
    0755-83665813
  • O
  • SO-8
  • 13+
  • 33293
  • NTMS10P02R2G
  • 北京京华特科技有限公司
  • 张小姐/韩先生
    010-86398446-806
  • ON Semiconductor
  • N/A ㊣品
  • N/A 全新进口
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