买卖IC网 >> 中文资料第34261页 >> NTMS4107NR2(功率MOSFET30 V，18 A单N沟道，SO-8)

NTMS4107NR2中文资料

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NTMS4107NR2参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTMS4107NR2
  • 功能描述：MOSFET 30V 18A N-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMS4107NR2供应商

  • 电子元器件
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  • 品牌
  • 封装
  • 批号
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  • NTMS4107NR2
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 王
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  • TE Connectivity
  • 原厂标准封装
  • 2014
  • 3000
  • NTMS4107NR2
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 雷春艳
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  • ON
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  • NTMS4107NR2
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • NTMS4107NR2
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  • 标准国际(香港)有限公司
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  • ON SEMICONDUCTOR
  • 9267
  • NTMS4107NR2G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • ON
  • SOP-8
  • 14+
  • 9531
  • NTMS4107NR2G
  • 深圳市思诺康科技有限公司
  • 张小姐/Vivianvi
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  • 13/14+
  • 290
  • NTMS4107NR2G
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
  • 荣泽信－晏S
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  • ON
  • 15+
  • 10000
  • NTMS4107NR2G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • ON Semiconductor
  • 8-SOIC N
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  • 25000