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NTR1P02LT1G中文资料

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NTR1P02LT1G参数资料

  • 电子元器件
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  • NTR1P02LT1G
  • 功能描述：MOSFET -20V -1.3A P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTR1P02LT1G供应商

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  • NTR1P02LT1G
  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • ON
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  • ON Semiconductor
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  • NTR1P02LT1G
  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
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  • SOP-8
  • 2015+
  • 2240
  • NTR1P02LT1G
  • 深圳市思诺康科技有限公司
  • 张小姐/Vivianvi
    0755-83286481
  • ON
  • ORG
  • 13/14+
  • 290
  • NTR1P02LT1G
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
  • 荣泽信－晏S
    18028731859
  • ON
  • SOT23
  • 15+
  • 10000