买卖IC网 >> 中文资料第34264页 >> NTR1P02T1(功率MOSFET（-20 V，-1 A，P沟道SOT-23封装）)

NTR1P02T1中文资料

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NTR1P02T1参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTR1P02T1
  • 功能描述：MOSFET -20V -1A P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTR1P02T1供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
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  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
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  • ON
  • 晶体管
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  • 3000
  • NTR1P02T1
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 王
    18724450645
  • TE Connectivity
  • 原厂标准封装
  • 2014
  • 3000
  • NTR1P02T1
  • 北京天阳诚业科贸有限公司
  • 洪先生
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  • 现货库存，数量价格请加QQ：2850707135
  • 12+
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  • NTR1P02T1
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
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  • NTR1P02T1
  • 深圳市中平科技有限公司
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  • NTR1P02T1
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
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  • NTR1P02T1
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  • 销售部经理：马先生
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  • ON Semiconductor
  • SOT-23-3（TO-236）
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 雷春艳
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