买卖IC网 >> 中文资料第48796页 >> ZXMN3A02X8TC(30V N沟道增强型MOSFET)

ZXMN3A02X8TC中文资料

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ZXMN3A02X8TC参数资料

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  • ZXMN3A02X8TC
  • 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

ZXMN3A02X8TC供应商

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  • ZXMN3A02X8TC
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  • 深圳市英瑞尔电子科技有限公司
  • 朱先生
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  • MSOP84K
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  • ZXMN3A02X8TC
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  • ZETTEX
  • MSOP84K
  • 2013
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  • ZXMN3A02X8TC
  • 深圳市百诚电子科技有限公司
  • 胡先生
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  • MSOP84K
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  • 7585
  • ZXMN3A02X8TC
  • 深圳市华首信实业有限公司
  • 阳小姐/曾先生/
    0755-82518632
  • Z
  • MSOP84K
  • 最新年份
  • 21000
  • ZXMN3A02X8TC
  • 深圳市勇越电子有限公司
  • 张先生/陈小姐/杨先生
    0755-83753558
  • Z
  • MSOP84K
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