IPD50R399CP
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IPD50R399CP中文资料
电子元器件
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IPD50R399CP
CoolMOSTM Power Transistor
INFINEON
Infineon Technologies AG
10 Pages
311.49 Kbytes
IPD50R399CP参数资料
电子元器件
参数资料
IPD50R399CP
功能描述:MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.399 Ohms;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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张生/陈小姐( 可开13% 增值税发票)
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TO252-3
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