IPD60R600E6

IPD60R600E6中文资料

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• IPD60R600E6
• 600V CoolMOS E6 Power Transistor
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  Infineon Technologies AG
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IPD60R600E6参数资料

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• IPD60R600E6
• 功能描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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