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IRF6674TRPBF中文资料

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IRF6674TRPBF参数资料

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  • IRF6674TRPBF
  • 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRF6674TRPBF供应商

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • 李先生 肖小姐
    0755-83958402
  • IR
  • DIRECTFET
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  • IRF6674TRPBF
  • 深圳市宝隆宏业科技有限公司
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    0755-83157460
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  • 深圳市诚中源科技有限公司

  • 0755-28484646
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  • IRF6674TRPBF
  • 深圳市海天高电子有限公司
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  • DIRECTFET? MZ
  • 15+
  • 12000
  • IRF6674TRPBF
  • 深圳市迈鑫威电子科技有限公司
  • 张小姐/夏小姐/张先生
    0755-82545279/82941891/15914
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  • 全新现货
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  • 12600
  • IRF6674TRPBF
  • 深圳市佰昇电子有限公司
  • 曾小姐/叶先生
    0755-83971212
  • International Rectifier
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  • 2年内
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