IRF6668TRPBF

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IRF6668TRPBF参数资料

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• IRF6668TRPBF
• 功能描述：MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 深圳市明硅园科技有限公司
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• 深圳市佰昇电子有限公司
• 曾小姐/叶先生
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• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
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• 深圳市创芯弘科技有限公司
• (2014年前十佳IC供应商)
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• IR代理
• MOSFET芯片
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• 36980