IRF6655TR1PBF

IRF6655TR1PBF中文资料

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IRF6655TR1PBF参数资料

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• IRF6655TR1PBF
• 功能描述：MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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  0755-83350789
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  19129491934(手机优先微信同号)
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  18724450645
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• 朱咸华
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• 深圳市华诺星科技有限公司
• 胡泽君
  18998911795
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• 11800

• IRF6655TR1PBF
• 深圳市英瑞尔电子科技有限公司
• 朱先生
  0755-82811605
• IR
• DIRECTFET
• 15+
• 25000

• IRF6655TR1PBF
• 深圳市迈的特电子有限公司
• 陈小姐
  13537709675
• 原厂
• N/A
• 13+
• 10000